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교육과학술부(장관 안병만)는 일반연구자 지원사업(신진연구)과 나노원천기술개발사업의 지원을 받은 국내연구진이 차세대 조명 광원인 InGaN* 청색 LED의 발광 효율을 최고 30%이상 증가시킨 원천기술을 개발하였다고 밝혔다.
* InGaN(인듐갈륨나이트라이드) : 백색?청색?녹색?자외선 LED의 활성층을 구성하는데 필수적인 물질
연구 결과는 재료공학분야에서 세계적으로 권위 있는 과학 저널인 “어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈(Advanced Functional Materials, IF = 6.808)”誌 4월 9일자에 주목할 만한 논문으로 선정되어 표지논문 (frontispiece)으로 게재되었다.
이번에 개발된 기술은 기존의 LED에 비해 전기적인 특성은 저하 시키지 않고, 산화아연 나노막대의 광도파로* 현상에 의해 30% 이상 발광효율을 증가시켰다.
* 광도파로(optical waveguide, 光導波路) : 빛이 지나가는 길
차세대 조명광원으로 각광 받고 있는 LED는 에너지 고효율과 친환경적인 장점을 지닌 ‘저탄소 녹색성장’을 이끄는 그린 에너지 중 하나이다.
○ LED는 백열등, 형광등과 같은 재래식 조명과는 달리, 전기 에너지를 빛(光) 에너지로 전환하는 효율이 높아 최고 90%까지 에너지를 절감할 수 있다.
○ 또한 2015년까지 국내 조명의 30%를 LED 조명으로 교체할 경우, 매년 160억 kWh의 전력(100만 kW급 원자력 발전소 2기의 전력 생산량)을 절감시키고, 680만 톤의 이산화탄소 배출량도 감소하는 효과를 얻을 수 있다.
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